RFHIC attends ims 2019 Boston

 

RFHIC는 2019년 미국 보스턴에서 열린 무선주파수(RF)분야 최대의 전시회인 IEEE IMS에서 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 트랜지스터 개발을 완료했다고 지난 18일 밝혔다.  RFHIC는 질화갈륨 다이아몬드 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있으며, 질화갈륨 다이아몬드는 반도체에서 가장 많이 사용되어지는 실리콘 보다 열전도율, 스위칭속도, 전력소비량 측면에서 혁신적인 발전을 이룰 수 있는 소재로 각광받고있다. RFHIC가 미래 신소재 기술로 개발해 온 질화갈륨 다이아몬드 웨이퍼 성능이 현실화 되고 더 나아가 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터의 개발까지 전시회를 통해 공개하면서 많은 주목을 받았다.