통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
RFHIC는 삼성전자 ‘2026 상생협력 DAY’에서 ‘기술혁신으로 완성한 고효율 통신 반도체’ 부문 최우수상을 수상하며, GaN RF 기술 경쟁력을 입증했다.
이번 수상은 RU(Radio Unit) 전력 증폭기용 드라이브 패키지와 메인 패키지 개발 과정에서, 집적화된 GaN 패키지 기술을 적용해 설계 면적을 축소하고 복수의 패키지를 하나로 통합함으로써 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한 성과를 인정받은 결과다.
RU 전력 증폭기는 5G 통신 인프라의 핵심 부품으로, 높은 출력과 효율, 신뢰성이 요구된다. RFHIC는 GaN RF 기술을 기반으로 이러한 요구를 충족하며, 통신 장비의 성능 향상과 에너지 효율 개선에 기여하고 있다.
이번 시상은 삼성전자가 3월 27일 경기도 성남시 더블트리 바이 힐튼 서울 판교에서 개최한 DX(Device eXperience) 부문 ‘상생협력 DAY’에서 진행되었다. 해당 행사는 협력사와의 소통을 강화하고 동반성장을 도모하기 위해 2012년부터 이어져 온 프로그램이다.
RFHIC는 앞으로도 GaN RF 기술을 기반으로 고객 및 파트너와의 협력을 강화하고, 고성능 RF 솔루션 개발을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 지속적으로 확대해 나갈 계획이다
🔗 더 알아보기
알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.
