군용 및 육상 이동 무선 통신을 위한 RFHIC의 GaN on SiC 솔루션

군사 및 항공우주 산업에서 통신 시스템의 신뢰성과 효율성은 임무의 성공과 직접적인 연관이 있습니다. 군사 작전과 응급 구조 상황에서 통신의 연속성은 작전의 안전성과 효과성을 보장하는 핵심 요소로 작용합니다. 이를 위해 군용 및 육상 이동 무선 통신 시스템은 강력한 성능과 높은 신뢰성을 제공해야 하며, RFHIC의 질화갈륨(GaN) 기반 실리콘 카바이드(SiC) 솔루션은 이러한 요구 사항을 충족하는 최적의 기술을 제공합니다.

 

군용 및 육상 이동 무선 통신의 필요성

현대 군사 작전 및 비상 상황에서, 실시간 통신은 필수 불가결한 요소입니다. 명령의 전달과 정보 교환이 적시에 이루어지지 않을 경우, 이는 작전의 실패로 이어질 수 있습니다. 따라서 통신 장비는 신뢰성, 내구성, 고출력 성능을 동시에 갖춰야 하며, 특히 극한의 환경에서도 안정적인 작동이 보장되어야 합니다. RFHIC는 군용 및 육상 이동 통신의 엄격한 요구 사항을 충족하기 위해 GaN on SiC 기술을 바탕으로 한 고성능 솔루션을 제공합니다.

 

RFHIC 의 GaN on SiC 기술 : 성능과 이점

RFHIC의 GaN on SiC 기술은 높은 전력 밀도, 우수한 효율성, 그리고 넓은 주파수 대역폭을 제공합니다. GaN on SiC는 특히 고출력 및 고주파 성능이 요구되는 응용 분야에서 탁월한 성능을 발휘하며, 이는 군사 통신 시스템의 신뢰성과 효율성을 극대화하는 데 기여합니다.

1. 고출력 밀도: GaN 소자는 기존의 실리콘 기반 소자에 비해 훨씬 높은 전력 밀도를 제공하여, 동일한 크기에서도 더 높은 출력 성능을 발휘합니다. 이를 통해 통신 장비의 소형화 및 경량화가 가능해지며, 특히 휴대성이나 이동성이 중요한 군사 및 응급 구조 환경에서 매우 유리합니다.

2. 열 관리 효율성: SiC 기판은 높은 열 전도성을 제공하여, 고출력 작동 시 발생하는 열을 효과적으로 관리할 수 있습니다. 이는 소자의 성능 유지와 수명 연장에 중요한 역할을 하며, 극한의 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다.

3. 광대역 주파수 대응: GaN on SiC 기술은 매우 넓은 주파수 범위에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 이는 다양한 주파수 대역을 사용하는 군용 및 육상 이동 통신 시스템에 이상적이며, 복잡한 통신 환경에서도 효율적인 통신을 가능하게 합니다.

 

RFHIC의 군용 및 육상 이동 무선 통신을 위한 제품군

RFHIC는 GaN on SiC 기술을 활용한 다양한 제품을 통해 군사 및 육상 이동 통신 시장의 요구를 충족시키고 있습니다. 그 중에서도 PRM33060-4S (GaN Hybrid power amplifier module) 는 군사 및 응급 구조 통신 장비에 적용될 수 있는 고성능 하이브리드 증폭기로, 뛰어난 출력 성능과 높은 효율성을 제공합니다. 이 제품은 극한의 온도와 환경에서도 우수한 내구성을 자랑하며, 작고 가벼운 크기로 설계되어 통신 장비의 이동성을 극대화합니다.

• 하이브리드 증폭기- 방산 제품군 확인하기

Part Number	Status	Band	Min Freq. [MHz]	Max Freq. [MHz]	Power Gain [dB]	PAE [%]	VDC	Saturation Power [W]	Efficiency [%]
PRM33060-4S	Sample Available	S-band	3100	3500	32	61	46	-	-
HR5459-25C	Sample Available	C-band	5400	5900	15	-	28	25	40
HR9395-30A	Sample Available	X-band	9300	9500	10	-	50	30	40
HR9395-08A	Sample Available	X-band	9300	9500	11	-	48	6	45
HM0225-05A	Production	-	200	2500	35	-	28	5	30
HM0225-05B	Production	-	200	2500	35	-	27	5	31
HM0525-10A	Production	-	500	2500	20	-	28	10	30
HR2731-50A	Production	S-band	2700	3100	24	-	50	50	50
TG520-10	Production	-	30	520	16	-	28	10	60
TG1000-10	Production	-	100	1000	15	-	28	10	55
TG2000-10	Production	-	200	2000	35	-	28	5	40
HM0220-03A	Production	-	200	2000	34	-	18	3	39
HM0220-05A	Production	-	200	2500	34	-	28	5	30
HM0005-10A	Production	-	200	520	30	-	28	-	30

 

또한 RFHIC의 RWP05040-10(Wideband Amplifiers) 은 고출력, 고주파수 성능을 요구하는 통신 시스템을 위해 설계된 증폭기로, 뛰어난 신호 품질과 선형성을 제공합니다. 이 제품은 특히 전력 효율이 중요한 장비에 적합하며, 높은 전력 변환 효율을 통해 에너지 소비를 줄이면서도 안정적인 통신을 지원합니다.

• GaN 광대역 증폭기 – 방산 제품군 확인하기

Part Number	Frequency Min (MHz)	Frequency Max (MHz)	Output Power (W/kW)	POUT (dBm)	Gain (dB)	Dimensions W X H X D (mm)
RWS03020-11	20	450	19	40	40	58 X 15 X 32
RWP03040-50	20	500	40	46	39	70 X 50.8 X 17.1
RWO03160-10	20	500	160	52	43	120 X 65 X 16.7
RWS02520-10	20	512	20	43	41	63 X 38 X 14.4
RWS02540-10	20	512	40	46	44	63 X 38 X 14.4
RWP03060-10	20	512	80	49	38	72 X 50.8 X 16.8
RWP03040-10	20	520	40	46	42	70 X 50.8 X 17.3
RWM03060-10	20	520	80	49	55	162.6 X 86.4 X 27
RWM03125-10	20	520	125	51	55	162.6 X 86.4 X 27
RWP03160-2R	20	800	150	51.8	41.8	120 X 65 X 16.7
RWP05020-10	20	1000	20	43	40	70 X 50.8 X 17.3
RWP05040-10	20	1000	40	46	38	70 X 50.8 X 17.3
RFW2500H10-28	20	2500	4	36	17	38 X 50.8 X 12.5
RWM03125-20	50	520	125	51	55	162.6 X 86.4 X 27
RWS02520-1K	100	600	20	43	46	63 X 38 X 14.4
RWP0106300-55	100	600	300	54.8	55	310 X 50 X 165
RWM05080-10	200	470	100	50	40	160 X 23 X 135

 

RFHIC의 GaN on SiC 솔루션 적용 사례

RFHIC의 GaN on SiC 솔루션은 이미 다양한 군용 통신 시스템에 성공적으로 적용되었습니다. 이 기술은 군용 라디오, 위성 통신, 전술 데이터 링크 시스템 등에 사용되며, 특히 고출력 및 고주파 성능이 요구되는 응용 분야에서 뛰어난 성능을 발휘하고 있습니다. RFHIC의 GaN 기술은 시스템의 신뢰성을 높이고 통신 품질을 개선하여, 군사 작전의 안전성을 보장하고 운영 효율성을 향상시킵니다.

 

결론

군용 및 육상 이동 통신 시스템에서의 신뢰성과 연속성은 인명 보호와 임무 성공에 직결되는 핵심 요소입니다. RFHIC의 GaN on SiC 솔루션은 이러한 통신 시스템의 요구 사항을 충족시키기 위한 최적의 기술로, 높은 출력 성능과 효율성을 바탕으로 군사 및 응급 구조 통신의 혁신을 이끌고 있습니다. RFHIC는 앞으로도 지속적인 기술 개발을 통해 더 나은 성능과 신뢰성을 제공할 것입니다.

 

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참고 문헌:

• Wirth, E. M., & Fox, J. C. (2018). GaN on SiC for High Power RF and Microwave Applications in Aerospace and Defense. IEEE Aerospace Conference.
• Jones, S. D., et al. (2019). Wideband GaN on SiC Amplifiers for Tactical Communication Systems. Journal of Defense Electronics, 56(4), 112-119.