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InterBattery 2025에서 GaN 기술의 혁신 가능성 제시
InterBattery 2025는 2025년 3월 5일부터 7일까지 서울 코엑스에서 개최되었으며, 전 세계 배터리 및 전력 반도체 기업들이 모여 최신 기술과 시장 동향을 공유하는 자리였습니다. RFHIC는 The Platz홀 부스 #P415에서 차세대 GaN 기반 고출력 전력 증폭기 솔루션을 선보이며, GaN 기술이 배터리 생산 공정과 에너지 효율을 혁신할 수 있는 가능성을 제시했습니다.

전시 기간 동안 RFHIC는 자사의 제품이 적용될 수 있는 다양한 분야를 소개하였으며, 특히 다음과 같은 배터리 제조 공정에서의 활용 가능성을 강조했습니다.
* GaN 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체 대비 높은 전력 효율과 내구성을 갖춘 차세대 전력 반도체 기술로 주목받고 있습니다. 이를 통해 배터리 제조 공정에서 에너지 소비 절감 및 생산 효율 극대화를 실현할 수 있습니다.
RFHIC는 InterBattery 2025를 통해 업계 관계자들과의 협력을 강화하며, 글로벌 시장에서 GaN RF 에너지 솔루션의 우수성을 알릴 수 있는 소중한 기회를 가졌습니다.

앞으로도 RFHIC는 잠재 고객 및 파트너와의 관계를 지속적으로 발전시키고, 이를 실질적인 성과로 연결하여 혁신과 성장을 주도해 나가겠습니다.
*RFHIC의 제품 및 기술에 대한 문의는 하단 링크를 통해 문의 부탁드립니다.
알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.