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현대 전쟁의 변화하는 환경에서 전통적인 군사 전략은 기술의 빠른 발전에 따라 새롭게 재편되고 있습니다. 그 중에서도 전자전(EW)과 재밍 시스템은 그 중요성이 크게 부각되고 있습니다.
세계 곳곳에서 갈등이 계속되는 가운데, 첨단 기술을 바탕으로 한 신뢰성 있고 확장 가능한 방위 기술의 필요성이 더욱 두드러지고 있습니다. 특히, 드론 재밍 시스템을 포함한 전자전 시스템은 전장에서의 우위를 확보하는 데 필수적인 요소로 자리잡고 있습니다. 해당 포스팅에서는 다양한 전자전 및 재밍 기술을 소개하고, 그 중에서도 드론 재밍 시스템의 역할을 강조하며 방위 산업이 자율 시스템으로 전환되는 흐름을 살펴봅니다. 또한, GaN(질화 갈륨) 부품의 수요 증가와 함께 RFHIC의 GaN 증폭기가 현대 전자전 및 재밍 기술 개발에서 어떻게 핵심적인 역할을 할 수 있는지에 대해 논의합니다.
다양한 전자전의 유형
전자전은 전자기 스펙트럼을 이용해 적보다 우위를 점하기 위한 다양한 전술을 포함하고 있습니다. 주로 세 가지 유형으로 나눌 수 있습니다:
이 중에서도 재밍 시스템은 적의 드론을 무력화하는 데 매우 효과적인 전략으로 주목받고 있습니다.


전자전에서의 재밍 방법
재밍은 적의 신호를 방해하여 통신, 레이더, GPS 기능을 방해하거나 저하시키기 위한 의도적인 간섭을 의미합니다. 전자전에서는 여러 가지 재밍 방법이 사용됩니다:
IED 재머
전자기 펄스(EMP) 재머
적외선 재머

자율 시스템의 부상
지속적으로 증가하는 글로벌 분쟁은 전쟁에서 자율 시스템에 대한 의존도가 커지고 있음을 보여줍니다. 특히 드론과 같은 자율 시스템은 기존의 유인 차량에 비해 여러 가지 이점을 제공합니다. 자율 시스템은 더 작고, 저렴하며, 생산이 쉽고 무엇보다 대체가 용이합니다. 유인 차량은 생산과 훈련에 상당한 투자가 필요하지만, 자율 시스템은 신속하게 제조하고 배치할 수 있습니다. 이러한 소규모 고비용 유인 시스템에서 대량 저비용 자율 시스템으로의 전환은 방위 산업을 혁신적으로 변화시키고 있습니다.
하지만 자율 시스템에는 전자전(EW)과 재밍 솔루션에 대한 필요성이 커지는 등의 새로운 과제가 따릅니다. 자율 드론과 차량은 내비게이션과 제어를 위해 통신 시스템에 크게 의존하기 때문에 신호를 재밍하면 무력화될 수 있습니다. 이는 전자전이 미래 군사 작전에서 매우 중요한 요소가 될 것임을 의미합니다.
전자전 및 재밍 시스템에서 GaN 부품의 역할
방위 산업이 더 작고 자율적인 시스템으로 이동함에 따라, 소형화되고 효율적인 전자 부품에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다. 이와 같은 분야에서 질화 갈륨(GaN) 기술은 특히 전자전과 재밍 애플리케이션에서 게임 체인저로 떠오르고 있습니다. GaN 기반 부품, 예를 들어 전력 증폭기와 광대역 증폭기는 기존 부품에 비해 여러 가지 이점을 제공합니다:
높은 효율성: GaN 증폭기는 입력 전력을 더 많은 RF 출력으로 변환하여 효율성이 높습니다. 이는 넓은 주파수 대역에서 높은 출력이 필요한 재밍 애플리케이션에 이상적입니다.
소형화: GaN 증폭기는 실리콘 기반 증폭기보다 작고 가벼워서 소형 및 휴대용 전자전 시스템, 특히 드론 재머에 통합하기에 적합합니다.
넓은 대역폭: GaN 기술은 광대역 운용을 지원하여 하나의 GaN 증폭기가 여러 주파수 대역을 커버할 수 있습니다. 이는 적의 시스템이 사용하는 다양한 주파수를 목표로 해야 하는 현대 재밍 시스템에 특히 유용합니다.
내구성 및 신뢰성: GaN 증폭기는 극한 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있어 가혹한 환경에서의 군사 작전에 적합합니다.

RFHIC의 GaN 솔루션
RFHIC는 GaN 기술의 선두주자로서 다양한 전자전 및 재밍 응용을 위한 고성능 GaN 솔루션을 제공합니다. 특히 RFHIC의 GaN 증폭기는 효율성, 크기, 출력 면에서 뛰어난 성능을 발휘하며, 방위 및 상업적 응용 모두에 적합한 광대역, 고출력 전자전 시스템에 최적화되어 있습니다. RFHIC의 GaN 증폭기는 현대 전자전 및 재밍 기술의 발전에 중요한 역할을 하고 있으며, 국방 산업의 변화하는 요구에 발맞추어 더욱 강력하고 확장 가능한 솔루션을 제공합니다.
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Part Number |
Frequency Min (MHz) |
Frequency Max (MHz) |
Output Power (W/kW) |
POUT (dBm) |
Gain (dB) |
Dimensions W X H X D (mm) |
| RWS03020-11 | 20 | 450 | 19 | 40 | 40 | 58 X 15 X 32 |
| RWP03040-50 | 20 | 500 | 40 | 46 | 39 | 70 X 50.8 X 17.1 |
| RWO03160-10 | 20 | 500 | 160 | 52 | 43 | 120 X 65 X 16.7 |
| RWS02520-10 | 20 | 512 | 20 | 43 | 41 | 63 X 38 X 14.4 |
| RWS02540-10 | 20 | 512 | 40 | 46 | 44 | 63 X 38 X 14.4 |
| RWP03060-10 | 20 | 512 | 80 | 49 | 38 | 72 X 50.8 X 16.8 |
| RWP03040-10 | 20 | 520 | 40 | 46 | 42 | 70 X 50.8 X 17.3 |
| RWM03060-10 | 20 | 520 | 80 | 49 | 55 | 162.6 X 86.4 X 27 |
| RWM03125-10 | 20 | 520 | 125 | 51 | 55 | 162.6 X 86.4 X 27 |
| RWP03160-2R | 20 | 800 | 150 | 51.8 | 41.8 | 120 X 65 X 16.7 |
| RWP05020-10 | 20 | 1000 | 20 | 43 | 40 | 70 X 50.8 X 17.3 |
| RWP05040-10 | 20 | 1000 | 40 | 46 | 38 | 70 X 50.8 X 17.3 |
| RFW2500H10-28 | 20 | 2500 | 4 | 36 | 17 | 38 X 50.8 X 12.5 |
| RWM03125-20 | 50 | 520 | 125 | 51 | 55 | 162.6 X 86.4 X 27 |
| RWS02520-1K | 100 | 600 | 20 | 43 | 46 | 63 X 38 X 14.4 |
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RWP0106300-55 |
100 | 600 | 300 | 54.8 | 55 | 310 X 50 X 165 |
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RWM05080-10 |
200 | 470 | 100 | 50 | 40 | 160 X 23 X 135 |
2. 고출력 GaN 증폭기 : 보다 높은 요구 사항을 필요로 하는 애플리케이션을 위해 RFHIC는 뛰어난 출력과 효율성을 제공하는 고출력 GaN 증폭기를 제공합니다. 이 증폭기들은 군사 작전의 가혹한 환경을 견딜 수 있도록 설계되어, 현장에서 신뢰할 수 있는 성능을 보장합니다.
| Part Numer | Statis | Band | Min Freq. (MHz) | Max Freq. (MHz) | Type | Typ Output Power (W) | Power Gain (dB) | PAE (%) | VDC |
| RRP2425100-50 | Sample Available | S-band | 2400 | 2500 | Pallet | 100 | 50 | 45 | 32 |
| PRM29060-4S | Sample Available | S-band | 2700 | 3100 | PP-3G | 68 | 34 | 61 | 48 |
| RRP33250-11 | Production | S-band | 3100 | 3500 | Pallet | 250 | 31 | 40 | 50 |
| RRP3135080-37A | Sample Available | S-band | 3100 | 3500 | Pallet | 90 | 37 | 40 | 50 |
| RRP3135080-37 | Sample Available | S-band | 3100 | 3500 | Pallet | 90 | 37 | 40 | 50 |
| RRP291K0-10 | Production | S-band | 2700 | 3100 | Module | 1100 | 61 | 35 | 50 |
| RRP2731330-09 | Sample Available | S-band | 2700 | 3100 | Pallet | 400 | 9 | 55 | 50 |
| RRP2735160-35 | Sample Available | S-band | 2700 | 3100 | Pallet | 180 | 35 | 40 | 50 |
| RRO27311K0-22 | Sample Available | S-band | 2700 | 3500 | Pallet | 1000 | 22 | 45 | 50 |
| RRP2731080-39 | Sample Available | S-band | 2700 | 3100 | Pallet | 100 | 39 | 42 | 50 |
| RRP2731200-08 | Sample Available | S-band | 2700 | 3100 | Pallet | 250 | 8 | 55 | 38 |
| RRP27371K5-30 | Sample Available | S-band | 2700 | 3700 | Pallet | 1500 | 31 | 37 | 50 |
| Part Numer | Statis | Band | Min Freq. (MHz) | Max Freq. (MHz) | Type | Typ Output Power (W) | Power Gain (dB) | PAE (%) | VDC |
| RRP578065-40 | Sample Available | C-band | 5725 | 5850 | Pallet | 80 | 40 | 40 | 32 |
| RRP52571K0-41 | Sample Available | C-band | 5250 | 5750 | Module | 1200 | 41 | 60 | 50 |
| RRP54591K2-42 | Production | C-band | 5400 | 5900 | Module | 1200 | 42 | 35 | 50 |
| RRP54591K3-43 | Sample Available | C-band | 5400 | 5899 | Module | 1300 | 43 | 35 | 50 |
| RRP56571K0-42 | Sample Available | C-band | 5600 | 5700 | Module | 1200 | 42 | 35 | 50 |
| RRP54592K4-24 | Sample Available | C-band | 5400 | 5900 | Pallet | 2400 | 24 | 30 | 50 |
| RRP56570R5-28 | Sample Available | C-band | 5600 | 5700 | Pallet | 0.6 | 28 | – | 50 |
| RRP56572K4-24 | Sample Available | C-band | 5600 | 5700 | Pallet | 2400 | 24 | 60 | 50 |
| RRP52591K2-42 | Sample Available | C-band | 5200 | 5900 | Pallet | 1260 | 42 | 35 | 50 |
| RRP5459015-42 | Sample Available | C-band | 5400 | 5900 | Pallet | 15 | 42 | – | 50 |
3. 고출력 마이크로웨이브 발생기 : 지향성 에너지 무기 애플리케이션을 위해 RFHIC는 고출력 연속파(CW) GaN 고체 상태 마이크로웨이브 발생기 시스템을 제공합니다. 이 시스템은 적의 장비를 손상시키거나 파괴할 수 있는 지향성 에너지를 전달합니다.
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RFHIC는 기성 제품뿐만 아니라 전자전(EW) 및 재밍 시스템의 독특한 요구 사항을 충족하도록 맞춤형 GaN 증폭기 솔루션도 제공합니다.
RFHIC의 차별화된 강점은 GaN 디바이스부터 완성된 시스템까지 모든 과정을 사내 생산 시설에서 설계, 개발, 제조할 수 있는 원스톱 GaN 솔루션을 제공할 수 있다는 점입니다. 이러한 수직 통합은 빠른 맞춤화와 유연성을 보장할 뿐만 아니라, 생산의 모든 단계에서 최고 수준의 품질 관리를 통해 가장 까다로운 방위 애플리케이션에서도 최적화된 솔루션을 제공할 수 있습니다.

미래의 방위: 전자전 및 재밍 시스템
방위의 미래는 전자전(EW) 및 재밍 시스템의 지속적인 발전에 달려 있습니다. 자율 시스템이 전장에서 점점 더 보편화됨에 따라, 적의 통신, 레이더, GPS 시스템을 방해할 수 있는 능력은 전략적 우위를 유지하는 데 매우 중요해질 것입니다. 대형, 고비용의 유인 시스템에서 소형, 저비용의 자율 시스템으로의 전환은 소형화되고 효율적인 전자전 솔루션에 대한 수요를 이끌고 있습니다.


RFHIC의 GaN 광대역 증폭기는 강력하고 확장 가능하며 신뢰성 있는 재밍 시스템을 구축하는 데 필요한 핵심 부품을 제공함으로써 이 변화에서 중요한 역할을 하고 있습니다. 방위 산업이 현대 전쟁의 요구에 맞춰 변화함에 따라, GaN 기술은 전자전 혁신의 최전선에 계속 서게 될 것입니다.
결론
전자전과 재밍 시스템은 미래 군사력의 판도를 재정립 할 것입니다. 특히 드론을 포함한 자율 시스템의 급증으로 인해, 첨단 전자전 솔루션의 필요성은 그 어느 때보다도 시급해지고 있습니다. 방위 산업은 빠르게 더 작고 저렴하며 쉽게 교체할 수 있는 시스템으로 전환되고 있으며, 그 중심에는 GaN 기술이 자리 잡고 있습니다.
RFHIC의 GaN 증폭기는 현대 전쟁의 과제를 해결하는 데 필요한 성능, 효율성, 확장성을 제공하여 차세대 전자전 및 재밍 시스템의 필수 구성 요소로 자리매김하고 있습니다. 각국이 변화하는 전장에 적응함에 따라 전자전은 군사 우위를 유지하는 핵심 요소로 남을 것입니다.
또한, 다양한 요구 사항을 충족할 수 있는 제품들을 당사 제품 카탈로그에서 확인해 보시기 바랍니다.
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