통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
행사명 : IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2025)
일정 : 2025년 6월 17일(화) – 19일(목)
장소 : 미국 샌프란시스코 Moscone Center
부스번호 : #730
RFHIC는 지난 6월 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 최대 RF 및 마이크로웨이브 기술 전시회 IMS 2025에 참가해, 산업 전반에 걸친 GaN 기반 RF 솔루션을 선보이며 전 세계 고객들의 주목을 받았습니다.
이번 전시에서는 RF Energy, 국방, 통신 분야를 중심으로 다양한 응용에 최적화된 제품들이 소개되었고, 현장을 찾은 글로벌 기업 및 기관 관계자들과의 적극적인 기술 상담과 네트워킹이 이루어졌습니다.
전시 제품 포트폴리오
IMS 2025에서 RFHIC는 고출력, 고효율, 광대역 특성을 갖춘 제품들을 중심으로 자사의 기술력을 소개했습니다. 다양한 시스템에 적용 가능한 당사의 제품군을 소개합니다.
- Wideband Power Amplifiers
GaN-on-SiC 기반의 고출력 증폭기로, 2–6GHz 및 6–18GHz 등 광범위한 주파수를 지원합니다. 전자전(EW), 재밍, 레이다 시스템 등 고속 응답성과 고선형성이 요구되는 응용 분야에 적합합니다. - SSPA (Solid-State Power Amplifiers)
GaN 기술 기반의 고출력 증폭기로, 산업용 RF 가열, 의료 장비, 통신, 전술 레이다 등에서 기존 진공관(TWT)을 대체하는 솔루션으로 주목받고 있습니다. - TR Modules
다양한 주파수 및 출력 요건에 최적화된 송수신 모듈로, 고객 요구에 따라 맞춤 설계가 가능하며 방산 및 통신 시스템의 핵심 RF 구성 요소로 활용됩니다. - Hybrid PAM (Hybrid Power Amplifier Modules)
GaN 트랜지스터와 수동 소자를 통합한 고선형·고효율 증폭기로, 위성 단말기, 지상 기지국, 항공통신 등 다양한 환경에서 안정적인 RF 출력을 제공합니다. - LNA (Low Noise Amplifiers)
초저잡음 특성과 뛰어난 선형성을 갖춘 증폭기로, 위성통신, 레이다 수신기, 정밀 측정 장비에서 수신 신호의 품질(SNR)을 극대화합니다.
전시 기간 동안 RFHIC 부스는 다양한 국가의 고객사, 업계 전문가, 파트너, 기관 관계자들로 붐볐으며, 전시된 전체 제품군에 대한 관심도가 고르게 높았습니다.
현장에서 진행된 다수의 기술 상담과 네트워킹은 향후 협력 가능성을 확인하는 계기가 되었으며, RFHIC의 GaN 기술에 대한 신뢰와 수요가 전 세계적으로 확대되고 있음을 다시 한 번 확인할 수 있는 자리였습니다.
앞으로도 RFHIC는 산업별 고객의 다양한 요구에 부합하는 고성능 RF 솔루션을 지속적으로 개발하고, RF 기술 기반의 글로벌 혁신을 주도하는 신뢰받는 파트너로서의 역할을 더욱 공고히 해 나가겠습니다.
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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.
