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RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
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포항공과대학교 가속기연구소와 다목적 방사광가속기용 고출력 증폭기 공급 계약 체결
RFHIC는 포항공과대학교 가속기연구소와 다목적 방사광가속기용 고출력 증폭기(SSPA, Solid-State Power Amplifier) 공급 계약을 체결했다고 밝혔다.
이번 계약은 약 186억5900만원 규모로, 계약 기간은 2026년 2월 11일부터 2029년 12월 31일까지다. 이번 수주는 RFHIC가 기존 통신 및 방산 중심의 RF 반도체 사업을 넘어 국가 전략 연구시설 및 산업 인프라에 적용되는 RF 에너지 시스템 분야로 사업 포트폴리오를 확장했다는 점에서 의미가 있다.
방사광가속기는 전자를 빛의 속도에 가깝게 가속해 매우 밝고 정밀한 X선(방사광)을 생성하는 대형 연구시설로, 물질의 미세 구조와 변화 과정을 정밀하게 분석할 수 있다. 이러한 특성으로 인해 반도체, 소재, 바이오, 에너지 등 다양한 첨단 연구 분야에서 핵심 연구 인프라로 활용되고 있다. 특히 이번 사업의 대상인 4세대 방사광가속기는 기존 대비 향상된 밝기와 정밀도를 기반으로 보다 정확한 분석과 실시간 관찰이 가능한 것이 특징이다.
RFHIC가 공급하게 될 RF 증폭 시스템에는 자사의 GaN(Gallium Nitride) 기반 반도체 기술이 적용된 고출력 SSPA가 탑재된다. 해당 시스템은 높은 에너지 효율과 디지털 제어 기능을 갖추고 있으며, 장시간 연속 운전이 요구되는 환경에서도 안정적인 성능과 우수한 유지보수 편의성을 제공하도록 설계됐다.
RFHIC 관계자는 “장기간 안정적인 운전이 필수적인 국가 대형 연구시설에 당사의 RF 증폭 시스템이 적용된 것은 기술 신뢰성과 공급 역량을 동시에 인정받았다는 의미”라며, “이번 프로젝트를 계기로 반도체 소재 및 장비, 이차전지 장비, 의료 장비 등 다양한 산업 분야로 RF 에너지 사업 확대를 지속적으로 추진할 계획”이라고 밝혔다.
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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.
