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About
RFHIC

알에프에이치아이씨(주)는 기술로 세상을 바꾸고
미래를 이끄는 혁신적인 기업입니다.

창립 배경

1999년,
알에프에이치아이씨(주)는
무선통신용 반도체 기업으로
시작했습니다.

1999년, 회장 조삼열과 사장 조덕수가 합심하여
알에프에이차이이씨(주)를 창립했습니다. 

RFHIC는 성능이 높고, 합리적인 가격의 무선주파수 장비를
국내 시장에 제공하겠다는 일념으로 시작되었습니다.

30년
RF & 마이크로웨이브의 경험
걸어온 길

회사 연혁

알에프에이치아이씨(주) 창립 – 1999
1999년, 알에프에이치이아이씨(주)가 창립되었습니다.
국내 위성통신 시장에 절실히 필요했던 합리적인 가격의 GaAs 부품을 공급하면서 RFHIC는 시작되었습니다.
파운드리 업체와 전략적 파트너쉽 체결 – 2004
질화갈륨/탄화규소 전문 파운드리 업체와 전략적 파트너쉽 계약을 맺었습니다.
동시에 케이블티비와 관련하여 모토롤라사와 대규모 계약을 체결했습니다.
Cree사와 전략적 파트너쉽 체결 – 2008
Cree사 (現 Wolfspeed) 와 전략적인 협력관계를 맺어 질화갈륨/탄화규소 에피웨이퍼 수급을 시작했습니다.
질화갈륨 (GaN) 전력증폭기 개발 성공 – 2009
처음으로 질화갈륨/탄화규소 (GaN-on-SiC) 전력 증폭기 제품군을 개발하여 무선 기지국 시장에 공급하기 시작했습니다.
통신용 GaN on SiC 제품 납품 – 2010
LTE 및 통신 시장에 질화갈륨/탄화규소 (GaN-on-SiC) 전력증폭기를 납품하기 시작했습니다.
방산 및 레이더 시장 진출 – 2011
본격적으로 방산 및 레이더 시장에 진출했습니다. 해외 방산업체에게 질화갈륨 (GaN) 전력증폭기를 공급하기 시작했습니다.
미국 법인 RFHIC US 설립 – 2012
미국 노스캐롤라이나 주에 알에프에이치아이씨(주)와 독립된 미국 법인인 RFHIC US Corporation 설립
대통령상 수여 – 2013
제 14회 전파방송신기술상 수상 (대통령상)
안양 사옥 이전 – 2015
2015년, 본사를 안양시 동안구로 이전했습니다.
코스닥 상장 – 2017
2017년 9월 1일, 알에프에이치아이씨(주)가 한국거래소 (KOSDAQ)에 상장되었습니다. (218410)
코스닥 라이징 스타 선정 – 2019
2019년에 한국거래소 (KOSDAQ) 라이징 스타로 선정되었습니다.
RF 머트리얼즈 & RF 시스템즈 인수 – 2020
2020년에 화합물 반도체 패키지 제조업체 RF 머트리얼즈와 브레이징 공정 및 안테나 제작업체 RF 시스템즈를 인수했습니다.
과천 사옥 신축공사 – 2023
방산 및 RF 에너지 사업부를 확장하여 경기도 과천 시에 신사옥을 건설하고 있습니다.
2023년 가을에 완공 예정입니다.
과천 사옥 이전 – 2024
2024년, 본사를 과천시 문원동으로 이전했습니다.
질화갈륨 (GaN) 소자의 잠재력을 통해 산업을 이끌고,
무선주파수와 마이크로웨이브 기술을 통해 더 나은 미래를 만들겠습니다.
알에프에이치아이씨(주) 공동 창립자
— 조삼열 회장 & 조덕수 사장