통신
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
고온에서 식자재를 가열하고 살균하여 즉석 식품을 가공하는 고객이
RFHIC의 반도체형 마이크로웨이브 장비를 활용한 사례입니다.
RFHIC의 GaN 반도체 기술이 어떻게 신속하고 효과적인
살균 공정을 가능하게 만들었는지 알아보세요.
고객은 즉석 식품 (Ready-to-Eat) 제품을 가공하고 포장하는 업체입니다.
즉석 식품 가공 시 제일 중요한 공정은 바로 식품의 살균 처리입니다.
살모넬라 균, 유독성 대장 균, 캄필로박터 균 등 식품에 있는 유해한 병원균은
섭취 시 식중독, 장염, 노로바이러스 등 다양한 질병을 일으킬 수 있습니다.
따라서 즉석 식품 내 서식하는 병원균을 전부 제거하는 것이 매우 중요합니다.
해당 업체는 RFHIC의 제품을 사용하기 전까지 고압 가열 살균 (Retort) 방식을
활용하여 고온과 수증기를 통해 즉석 식품을 가열하고 살균해 왔습니다.
고압 가열 살균 방식은 압력 용기 내 식품을 넣고 105~120°C 정도의 온도에서
가열하여 멸균시킨 뒤, 급속도로 냉각하는 즉석 식품 공정입니다.
해당 방식은 즉석 식품 공정에 흔히 쓰이는 방식이지만,
시간이 오래 걸리며 음식을 지나치게 가열하는 경우가 잦아
제품의 맛이 떨어지고 영양 성분이 파괴된다는 단점이 있습니다.
해당 고객사 또한 이러한 문제를 겪게 되어 고압 가열 살균 방식 이외의
방식을 찾던 중, RFHIC의 GaN 마이크로웨이브 장비를 택하게 되었습니다.
RFHIC는 다수의 3kW, 915MHz 반도체형 마이크로웨이브 장비
(RIU093K0-40TG)를 고객사에 납품했습니다.
RIU093K0-40TG 제품의 대역폭은 900MHz에서 930MHz이며,
RFHIC의 질화갈륨 (GaN-on-SiC) 트랜지스터 기술을 활용하여 제작된 장비입니다.
380VAC 전원 공급 장치와 제어 모듈이 함께 제공되며,
내부에 도파관이 설치되어 있어 차지하는 공간이 작은 편입니다.
고객은 915MHz 제품을 고른 이유는, 2.45GHz 혹은 그 외 주파수 대역에 비해
마이크로웨이브의 침투력이 강해 식품을 골고루 가열하는 데 유리하기 때문입니다.
고객은 여러 RIU093K0-40TG 제품 내부의 도파관을 가열 용기 내 설치된
혼 안테나 (horn-antenna)에 연결하여 마이크로웨이브를 발생시켰습니다.
이로 인해 부피를 많이 차지하고 비용이 나가는 도파관을 별도로
구매할 필요없이 가열 용기 내 식품을 가열하고 살균할 수 있었습니다.
또한, 고압 가열 살균 방식에 비해 균등한 열 분포가 가능해져 살균 시간이
약 절반으로 감소되었으며, 즉석 식품의 맛이 향상되고 영양 성분 또한
보존할 수 있게 되었습니다.
성과:
균등한 열 분포와 즉석 식품 품질 향상
기존의 방식인 고압 가열 살균과 다르게, RFHIC의 GaN 마이크로웨이브 장비는
제공되는 소프트웨어를 통해 주파수를 0.5MHz 단위로 조정할 수 있으며, 실시간으로
주파수 발생 현황을 확인할 수 있습니다. 이로 인해 보다 균등한 열 분포가 이뤄지고,
부분적으로 덜 살균이 되거나 지나치게 가열되는 부분이 없기에
맛, 식감, 영양 성분 등 다양한 면에 있어 제품의 품질이 향상되었습니다.
축소된 살균 공정 시간
균등한 열 분포와 마이크로웨이브의 침투력을 통해 식품 전체를 빠른 시간 내
고온에서 가열할 수 있었습니다. 평균 살균 공정 시간이 약 60분 ~ 90분에서
약 30분 ~ 45분 내외로 축소되었습니다.
짧은 조달 기간 (Lead Time) 및 신속한 A/S 서비스
트랜지스터, 전력증폭기, 그리고 마이크로웨이브 장비를 비롯한 RFHIC의
모든 제품은 전부 자체적으로 설계되고 제조됩니다. 따라서 타사에 비해
제품을 제작하는 조달 기간 (Lead Time)이 굉장히 짧은 편이며,
유사 시 A/S 서비스 또한 효율적이고 신속합니다.
*RFHIC의 제품, 기술 및 고객 사례에 대해 궁금하신 점은 문의하기를 통해 알려주십시오.
언제든지 도와드리겠습니다.

(마그네트론 vs RFHIC GaN SSPA 기술 비교자료)
마이크로웨이브로 플라스틱 합성 수지와 폴리머 폼 (polymer foam)을 생산하는
고객이 RFHIC의 반도체형 마이크로웨이브 장비를 활용한 사례입니다.
RFHIC의 GaN 반도체 기술이 발포 플라스틱 제품의 품질을 높이는 법을
알아보세요.
고객사는 플라스틱 합성 수지, 폴리머 폼 및 인공 섬유를 제조하는 글로벌 업체입니다.
2021년 기준 연매출이 약 2,500억원에 달하고, 직원 수는 약 300명입니다.
현재 독자적인 발포 구조를 지닌 열경화성 수지 제조에 주력하고 있으며.
해당 플라스틱 제품군은 높은 방음/방열 효과를 선보이고 내구성이 뛰어나
건축, 교통수단, 그리고 다양한 산업 분야에 활용되고 있습니다.
고객은 이미 마이크로웨이브 기술을 열경화성 수지 제조에 활용하고 있었는데,
다수의 마그네트론을 컨베이어 벨트에 부착하여 수지 내 공간을 형성하고
폼 (foam)을 발생시키는 공정을 보유하고 있었습니다.
고객사가 제조하는 열경화성 수지 내부의 구조는 독자적인 육각형 모양의 발포 구조를
띄고 있어, 타사에서 흔히 제조하는 수지와 구조가 크게 다릅니다. 독특한 구조로 인해
해당 제품군은 소음을 효과적으로 흡수하고, 화염에도 높은 내구성을 띄어
다양한 산업 용도로 안성맞춤입니다.
해당 열경화성 수지의 제조 과정은 대략적으로 다음과 같습니다.
고객사는 위 세가지 과정 중 첫 번째 과정인 폼 형성에서 어려움을 겪고 있었습니다.
마그네트론을 통해 수지에 열을 가했을 때, 폼의 외부가 내부보다 온도가 높아져
독자적인 발포 구조가 무너지는 현상이 잦았습니다. 이로 인해 공정 시간이
길어질 수 밖에 없었고, 열경화성 수지 제품의 질 또한 악화되었습니다.
고객사는 더 빠르게 균등하게 수지를 가열하고 폼을 형성할 방식을 찾게 되었고,
RFHIC의 GaN 반도체 기술이 제품의 품질을 높이고 제조 시간을 축소할 방도라 여겨
당사의 제품을 택했습니다.
RFHIC는 다수의 3kW, 915MHz 반도체형 마이크로웨이브 장비
(RIU093K0-40TG)를 고객사에 납품했습니다.
RIU093K0-40TG 제품의 대역폭은 900MHz에서 930MHz이며,
RFHIC의 질화갈륨 (GaN-on-SiC) 트랜지스터 기술을 활용하여 제작된 장비입니다.
380VAC 전원 공급 장치와 제어 모듈이 함께 제공되며,
내부에 도파관이 설치되어 있어 차지하는 공간이 작은 편입니다.
해당 제품의 주파수는 0.5MHz 단위로 조정이 가능하며, 출력은 10W 단위로
조정이 가능합니다. 고객은 다양한 주파수와 출력을 조금씩 실험하며
열경화성 수지 제조의 세 단계에 알맞는 최적의 조건을 각각 찾아갈 수 있었습니다.
제품 내부에 설치된 도파관으로 인해 높은 비용의 도파관을 별도로
구매할 필요가 없었으며, 생산 설비 내 여유 공간도 확보하게 되었습니다.
성과:
균등한 열 분포로 인한 신속한 폼 형성
고객이 기존에 사용하던 마그네트론과 다르게, RFHIC의 GaN 마이크로웨이브 장비는
제공되는 소프트웨어를 통해 주파수를 0.5MHz 단위로 조정할 수 있으며, 실시간으로
주파수와 출력을 모니터링할 수 있습니다. 이로 인해 보다 균등한 열 분포가 이뤄지고,
열경화성 수지의 내부와 외부가 동일하게 가열되어 더욱 짧은 시간 내 좋은 품질의
제품을 제조할 수 있게 되었습니다.
설비 여유 공간 확보 및 운영비 절감
내부에 도파관이 설치된 RIU093K0-40TG 특유의 설계 덕분에, 고객은 값비싼 도파관을
따로 구매하여 설치하는 대신, 컨베이어 벨트 위에 직접 마이크로웨이브 장비를 달아
많은 여유 공간을 확보할 수 있었으며, 이는 곧 운영비 절감이라는 효과를 냈습니다.
짧은 조달 기간 (Lead Time) 및 신속한 A/S 서비스
트랜지스터, 전력증폭기, 그리고 마이크로웨이브 장비를 비롯한 RFHIC의
모든 제품은 전부 자체적으로 설계되고 제조됩니다. 따라서 타사에 비해
제품을 제작하는 조달 기간 (Lead Time)이 굉장히 짧은 편이며,
유사 시 A/S 서비스 또한 효율적이고 신속합니다.
*RFHIC의 제품, 기술 및 고객 사례에 대해 궁금하신 점은 문의하기를 통해 알려주십시오.
언제든지 도와드리겠습니다.
20210709 구주주-청약-결과-공고_RFHIC알에프에이치아이씨㈜ 구주주 청약 결과 안내
2021 년 07 월 07 일 ~ 08 일 실시되었던 알에프에이치아이씨(주) 유상증자 구주주 청약에 참여하여 주신 청약자 여러분께 감사드리며,
아래 청약 결과에 따라 발생한 단수주는 일반공모 청약자에게 배정하지 아니하고 대표주관회사가 자기계산으로 인수함을 공지합니다.
2021 년 07 월 09 일
알에프에이치아이씨 주식회사
대표이사 조 덕 수
신주 발행가액 확정 공고
당사는 금번 유상증자 관련 최종 발행가가 확정됨에 따라 다음과 같이 공고합니다.
– 다 음 –
1. 신주의 확정 발행가액 : 보통주식 1주당 29,800원
2. 청약 증거금 : 보통주식 1주당 29,800원 (청약금액의 100%)
3. 구주주 청약일 : 2021년 07월 07일 ~ 2021년 07월 08일 (2일간)
4. 일반공모 청약일 : 2021년 07월 12일 ~ 2021년 07월 13일 (2일간)
– 대표주관회사는 ‘증권 인수업무 등에 관한 규정’ 제9조 제2항에 의거 고위험고수익투자신탁 및 일반청약자에 대하여
배정하여야 할 주식이 50,000주 이하(액면가 500원 기준)이거나, 배정할 주식의 공모금액이 1억원 이하인 경우에는
일반 고위험고수익투자신탁, 코넥스 고위험고수익투자신탁, 벤처기업투자신탁 및 일반청약자에게 배정하지 아니하고
대표 주관회사의 인수비율에 따라 자기계산으로 인수할 수 있습니다.
5. 기타사항
– 확정발행가액은 1차발행가액과 2차발행가액 중 낮은 가액으로 합니다.
단, ‘자본시장과 금융투자업에관한법률” 제165조의6 및 ‘증권의 발행 및 공시에 관한 규정’제5-15조의2의 산출근거에
의거, 청약일 전 과거 제3거래일부터 제5거래일까지의 가중산술평균주가를 기준주가로 할인율 40%를 적용하여
산정한 가액이 1차발행가액과 2차발행가액 중 낮은 가액을 초과하는 경우 동 금액을 확정 발행가액으로 합니다.
(단, 호가단위 미만은 절상함)
▶ 확정 발행가액 = Max{Min[1차 발행가액, 2차 발행가액], 청약일전 과거 제3거래일부터 제5거래일까지의 가중산술평균주가의 60%}
2021년 07월 05일
RFHIC 주식회사
대표이사 조덕수
[공시] 신주배정기준일공고
신 주 배 정 기 준 일 공 고
신주발행에 따른 권리주주확정을 위하여 신주배정기준일을 공고합니다.
2021년 04월 29일 개최한 당사 이사회에서 신주발행을 결의하였으므로 아래와 같이 공고합니다.
– 아 래 –
2021년 05월 04일
[공시] 신주발행공고
주주 여러분께
신 주 발 행 공 고
2021년 04월 29일 개최한 당사 이사회에서 아래와 같이 신주발행을 결의하였기에 공고합니다.
– 아 래 –
끝.
[공시] 제6기(2020사업연도) 사업보고서
제6기(2020.1.1.~2020.12.31.) 사업보고서입니다.
사업보고서는 DART전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)을 통해 확인하실 수 있습니다.
RFHIC 제6기 사업보고서 : [RFHIC]사업보고서(2021.03.19)
* 해당 사업보고서의 내용은 2021년 3월 26일 정기주주총회 결과에 따라 변경되거나 오기 등이 있는 경우 수정될 수 있으며,수정된 사업보고서는 DART전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)에 정정 보고서를 공시할 예정이므로 이를 활용 또는 참조하시기 바랍니다.