[제품/기술] 우주 추진을 위한 GaN RF 마이크로웨이브 발생기 기반 플라즈마 기술

최근 우주 산업이 빠르게 성장하면서 인공위성, 우주 탐사선, 심우주 임무 등 다양한 분야에서 효율적인 추진 기술에 대한 요구가 증가하고 있습니다. 특히 소형 위성(CubeSat)의 확산과 장기간 임무 수행 필요성이 증가함에 따라, 기존 화학 추진 방식보다 연료 효율이 높은 추진 기술에 대한 관심이 높아지고 있습니다 (Lev et al., 2019). 

기존의 화학 추진 방식은 높은 추력을 제공할 수 있지만, 연료 효율성과 장시간 운용 측면에서 한계를 가지고 있습니다. 이러한 한계를 극복하기 위한 대안으로 전기 추진(Electric Propulsion) 기술이 차세대 우주 추진 방식으로 주목받고 있습니다 (Choueiri, 2009). 

플라즈마 기반 전기 추진 기술

전기 추진 시스템 중에서도 플라즈마 추진(Plasma Propulsion) 기술은 높은 비추력(Specific Impulse)과 긴 운용 수명을 제공하는 기술로 알려져 있습니다 (Goebel & Katz, 2008). 

이 시스템에서는 추진제를 이온화하여 플라즈마 상태로 만든 후, 전기장 또는 자기장을 이용해 가속시켜 추력을 발생시킵니다. 이러한 방식은 연료 소비를 크게 줄이면서도 지속적인 추력 생성이 가능하다는 장점을 가집니다. 

또한 플라즈마 생성 및 제어 기술은 RF 및 마이크로파 기반 방전 기술의 발전과 함께 더욱 정밀하게 구현되고 있습니다 (Lieberman & Lichtenberg, 2005). 

GaN RF 마이크로웨이브 발생기를 활용한 플라즈마 생성

최근에는 RF Microwave Generator를 이용한 플라즈마 생성 기술이 전기 추진 시스템에서 중요한 역할을 하는 기술로 연구되고 있습니다. 

RF Microwave Generator는 추진 가스에 마이크로파 에너지를 전달하여 전자와 이온이 생성되는 플라즈마 상태를 형성하며, 이를 통해 안정적인 플라즈마 방전을 유지할 수 있습니다. 이러한 방식은 특히 헬리콘(Helicon) 플라즈마와 같은 고밀도 플라즈마 생성에 활용될 수 있습니다 (Takahashi, 2019). 

이 기술의 가장 큰 특징은 무전극(electrode-less) 구조를 구현할 수 있다는 점입니다. 전극이 없는 구조는 플라즈마 방전 과정에서 발생하는 전극 마모, 오염, 열화 문제를 제거하여 장기간 운용이 필요한 우주 환경에서 높은 신뢰성을 제공합니다. 

또한 RF 전력을 정밀하게 제어함으로써 플라즈마 밀도 및 에너지 전달을 안정적으로 유지할 수 있으며, 이는 추진 시스템의 성능 안정성과 직결됩니다 (Lieberman & Lichtenberg, 2005). 

Image credit: NASA
RF 기반 플라즈마 추진의 주요 장점
  1. 높은 연료 효율: 전기 추진 방식의 특성상 기존 화학 추진 대비 연료 사용 효율이 매우 높아 장기간 임무 수행에 적합합니다 (Goebel & Katz, 2008). 
  2. 장기간 안정적인 운용: 전기 추진 방식의 특성상 기존 화학 추진 대비 연료 사용 효율이 매우 높아 장기간 임무 수행에 적합합니다 (Goebel & Katz, 2008). 
  3. 장기간 안정적인 운용: 무전극 플라즈마 생성 방식은 부품 마모를 최소화하여 장시간 안정적인 운용이 가능합니다 (Takahashi, 2019). 
  4. 문전극 플라즈마 생성: 전극 손상 및 오염 문제를 제거하여 시스템 신뢰성과 수명을 향상시킵니다.
  5. 정밀한 추력제어: RF 전력 조절을 통해 플라즈마 밀도와 추진력을 세밀하게 제어할 수 있습니다.
적용 분야 및 활용 사례

GaN RF 마이크로웨이브 발생기 기반 플라즈마 추진 기술은 다음과 같은 다양한 우주 임무에 적용될 수 있습니다.

특히 마이크로파 기반 추진 기술(예: Microwave Electrothermal Thruster)은 실제 성능 연구에서도 그 가능성이 입증되고 있으며, 고효율 추진 기술로서 지속적인 연구가 이루어지고 있습니다 (Shabshelowitz et al., 2014). 

관련 GaN RF 마이크로웨이브 발생기 제품

 

출력 적용 분야 비고
200 W 소형 추진기 큐브샛 / 연구개발
1 kW 실용 위성 시스템 운용 단계 적용
5 kW+ 대형 임무 심우주 탐사
Part Number Min Freq (MHz) Max Freq (MHz) Output Power (W) VDC (V) Cooling Dimension (mm) Operating Mode DC RF Efficiency (%) VSWR Interface Line Connection
RIM25200-20G 2400 2500 200 50 Air – CW/Pulse 60 6:01 RS-232 D-Sub 7W2
RIM25500-20G 2400 2500 500 50 Water – CW/Pulse – – RS-232 D-Sub 7W2
RCM25800-20G 2400 2500 800 50 Water 320×150×51 CW/Pulse – – – –
RIM251K6-20G 2400 2500 1600 50 Water 200×362×53 CW/Pulse 57 6:01 RS-232 D-sub 5W5
RIU243K0-40TG 2400 2500 3000 50 Water 305×211×516 CW 58 6:01 D-Sub 9-pin 3P4W (L1/L2/L3/N)
RIU256K0-40TG 2400 2500 6000 50 Water 432×722×238 CW/Pulse 58 6:01 Ethernet, USB 3P4W (L1/L2/L3/N)
 
차세대 우주 추진 기술에서의 역할

최근 우주 추진 기술 연구에서는 고효율 플라즈마 생성과 안정적인 에너지 전달을 구현하기 위한 다양한 접근 방식이 연구되고 있으며, 특히 마이크로파 기반 플라즈마 생성 기술은 차세대 전기 추진 시스템의 중요한 후보 기술 중 하나로 주목받고 있습니다. 

우주 산업이 확대됨에 따라 고효율 플라즈마 발생 기술과 안정적인 RF 전력 공급 기술은 앞으로 더욱 중요한 역할을 수행할 것으로 예상됩니다 (Lev et al., 2019). 

RF Microwave Generator 기반 플라즈마 기술은 장시간 운용이 필요한 우주 임무에서 높은 신뢰성과 효율성을 제공할 수 있는 핵심 기술로 자리 잡을 것으로 기대됩니다. 

참고문헌

Goebel, D. M., & Katz, I. (2008).
Fundamentals of Electric Propulsion: Ion and Hall Thrusters.
Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology.

Lev, D. R., Myers, R. M., Lemmer, K. M., Kolbeck, J. A., Koizumi, H., Polzin, K. A., & Cappelli, M. A. (2019).
The technological and commercial expansion of electric propulsion.
Acta Astronautica, 159, 213–227.

Takahashi, K. (2019).
Helicon-type plasma thrusters.
Reviews of Modern Plasma Physics, 3(1), 3.

Lieberman, M. A., & Lichtenberg, A. J. (2005).
Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (2nd ed.).
Wiley-Interscience.

Choueiri, E. Y. (2009).
New dawn for electric rockets.
Scientific American, 300(2), 58–65.

Charles, C. (2009).
Plasmas for spacecraft propulsion.
Journal of Physics D: Applied Physics, 42(16), 163001.

Shabshelowitz, A., et al. (2014).
Performance of a microwave electrothermal thruster.
Journal of Propulsion and Power.

ERC-ZARATHUSTRA Project
https://cordis.europa.eu/project/id/640012

[제품/기술] RF 마이크로웨이브 장비를 이용한 플라즈마 기술과 반도체 공정 응용

반도체 산업은 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 5G 통신, 자율주행 기술의 발전과 함께 지속적으로 성장하고 있습니다. 이러한 기술 발전은 더 높은 연산 성능과 데이터 처리 능력을 요구하며, 이에 따라 반도체 소자의 미세화와 고집적화는 더욱 빠르게 진행되고 있습니다.

이러한 산업 트렌드는 반도체 제조 공정에서 정밀한 공정 제어와 안정적인 플라즈마 환경에 대한 요구를 더욱 높이고 있습니다. 플라즈마 공정은 반도체 제조 과정에서 식각(Etching), 박막 증착(Deposition), 표면 처리(Surface Treatment) 등 다양한 핵심 공정에서 활용되며, 공정 품질과 수율을 결정짓는 중요한 요소입니다.

RF 마이크로웨이브 장비 기반 플라즈마 기술

최근 RF 마이크로웨이브 장비를 이용한 플라즈마 생성 기술이 고정밀 반도체 공정을 위한 대안으로 주목받고 있습니다. RF 마이크로웨이브 장비는 공정 가스에 마이크로웨이브 에너지를 전달하여 전자와 이온이 생성되는 플라즈마 상태를 형성하며, 이를 통해 다양한 화학 반응을 유도합니다.

특히 마이크로웨이브 기반 플라즈마는 높은 에너지 결합 효율과 균일한 플라즈마 형성이 가능하다는 특징을 가집니다. 
또한 이러한 방식은 전극 의존도가 낮거나 없는 구조를 구현할 수 있어, 공정 오염 감소와 장비 수명 향상 측면에서도 유리합니다.

이와 함께, 플라즈마의 밀도와 안정성은 공정 균일성과 수율에 직접적인 영향을 미치며, 이를 안정적으로 유지하기 위한 RF 전력 공급 기술의 중요성이 점점 강조되고 있습니다.

RF 기반 플라즈마의 주요 장점

  1. 높은 플라즈마 밀도 (High Plasma Density): 마이크로웨이브 기반 에너지 전달은 고밀도 플라즈마 형성을 가능하게 하며, 이는 미세 패턴 공정에서 중요한 역할을 합니다.
  2. 우수한 공정 안정성 (Process Stability): 안정적인 방전 유지가 가능하여 공정 조건 변동을 최소화하고 균일한 공정 결과를 확보할 수 있습니다.
  3. 정밀한 플라즈마 제어 (Fine Plasma Control): RF 전력 조절을 통해 플라즈마 밀도 및 반응 조건을 정밀하게 제어할 수 있으며, 이는 첨단 반도체 공정에서 필수적인 요소입니다.
  4. 오염 감소 (Low Contamination): 전극 의존도가 낮은 구조는 금속 오염 및 파티클 발생을 줄여 공정 청정도를 향상시킵니다.
  5. 높은 공정 효율 (Process Efficiency): 에너지 전달 효율이 높아 공정 속도 향상과 에너지 최적화에 기여합니다.

반도체 제조 공정에서의 활용

1. 플라즈마 식각 (Plasma Etching)

고밀도 플라즈마를 활용하여 미세 패턴을 정밀하게 형성할 수 있으며, 특히 고종횡비(High Aspect Ratio) 구조 식각에 효과적입니다. 이러한 플라즈마 식각 기술은 반도체 미세화의 핵심 기술로 자리 잡고 있습니다.

2. 박막 증착 (PECVD)

플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 플라즈마를 이용하여 낮은 온도에서도 안정적인 박막 형성을 가능하게 합니다. RF 마이크로웨이브 기반 플라즈마는 균일한 박막 두께와 높은 품질의 박막 형성에 기여할 수 있습니다.

3. 표면 처리 및 활성화 (Surface Treatment)

플라즈마를 이용한 표면 활성화는 재료의 접착력 향상, 표면 에너지 조절 및 전기적 특성 개선에 활용됩니다. 특히 마이크로웨이브 기반 플라즈마는 균일한 표면 개질이 가능하여 고정밀 공정에 적합합니다.

안정적인 RF 전력 공급 기술의 중요성

플라즈마 공정의 성능은 플라즈마를 생성하는 RF 전력 공급원의 안정성과 정밀 제어 능력에 크게 의존합니다. 안정적인 RF 마이크로웨이브 장비는 플라즈마 밀도, 이온 에너지, 반응 균일도를 일정하게 유지하는 데 중요한 역할을 하며, 공정 재현성과 장비 신뢰성을 확보하는 핵심 요소입니다.

특히 첨단 반도체 공정에서는 나노미터 수준의 정밀 제어가 요구되므로, RF 전력의 미세 조정 기술은 필수적인 요소로 평가됩니다.

왜 RFHIC의 GaN RF 마이크로웨이브 장비인가?

RFHIC는 GaN solid-state 기술을 기반으로, 기존 마그네트론 방식 대비
출력 안정성, 수명, 그리고 정밀 제어 성능에서 차별화된 경쟁력을 제공합니다.

수직 통합 구조 트랜지스터부터 RF 시스템까지 자체 설계 및 생산하는 구조를 통해,
고객 공정에 최적화된 맞춤형 RF 솔루션 제공이 가능합니다.
공정 최적화 관점의 가치 이는 단순한 장비 공급을 넘어, 공정 안정성 향상과 수율 개선을
동시에 실현할 수 있는 핵심 요소로 작용합니다.

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관련 GaN RF 마이크로웨이브 제품

Output Power 적용 분야 비고
100 W 연구 및 소형 공정 Lab / R&D
200 W 파일럿 공정 Pilot
500 W 양산 공정 Production
800 W+ 고밀도 공정 Advanced
Part Number Min Freq
(MHz)		 Max Freq
(MHz)		 Output Power
(W)		 VDC
(V)		 Cooling Dimension
(mm)		 Operating
Mode		 DC RF Efficiency
(%)		 VSWR Interface Line Connection
RIM25100-20G 2400 2500 100 50 Air 200×100×30 CW/Pulse 60 6:01 RS-232 D-Sub 7W2
RIM25200-20G 2400 2500 200 50 Air – CW/Pulse 60 6:01 RS-232 D-Sub 7W2
RIM25500-20G 2400 2500 500 50 Water – CW/Pulse – – RS-232 D-Sub 7W2
RCM25800-20G 2400 2500 800 50 Water 320×150×51 CW/Pulse – – – –
RCM251K6-20G 2400 2500 1600 50 Water 200×362×53 CW/Pulse 57 6:01 RS-232 D-sub 5W5

RF Microwave Generator 기반 플라즈마 기술은 높은 플라즈마 밀도, 우수한 공정 안정성, 낮은 오염 특성 등 다양한 장점을 바탕으로 차세대 반도체 공정 기술로서 중요한 역할을 수행할 것으로 기대됩니다.

특히 미세 공정 및 고집적 반도체 제조에서 요구되는 정밀 제어 능력을 충족할 수 있는 기술로서, 향후 반도체 제조 장비의 핵심 기술로 자리 잡을 가능성이 높습니다.

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References

Lieberman, M. A., & Lichtenberg, A. J. (2005).
Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (2nd ed.).
Wiley-Interscience.

Chen, F. F. (2016).
Introduction to Plasma Physics and Controlled Fusion.
Springer.

Coburn, J. W., & Winters, H. F. (1979).
Ion- and electron-assisted gas-surface chemistry—An important effect in plasma etching.
Journal of Applied Physics, 50(5), 3189–3196.

Ohring, M. (2002).
Materials Science of Thin Films (2nd ed.).
Academic Press.

May, G. S., & Sze, S. M. (2004).
Fundamentals of Semiconductor Fabrication.
Wiley.

[뉴스] RFHIC, 삼성전자 ‘2026 상생협력 DAY’ 최우수상 수상

RFHIC는 삼성전자 ‘2026 상생협력 DAY’에서 ‘기술혁신으로 완성한 고효율 통신 반도체’ 부문 최우수상을 수상하며, GaN RF 기술 경쟁력을 입증했다.

이번 수상은 RU(Radio Unit) 전력 증폭기용 드라이브 패키지와 메인 패키지 개발 과정에서, 집적화된 GaN 패키지 기술을 적용해 설계 면적을 축소하고 복수의 패키지를 하나로 통합함으로써 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한 성과를 인정받은 결과다.

RU 전력 증폭기는 5G 통신 인프라의 핵심 부품으로, 높은 출력과 효율, 신뢰성이 요구된다. RFHIC는 GaN RF 기술을 기반으로 이러한 요구를 충족하며, 통신 장비의 성능 향상과 에너지 효율 개선에 기여하고 있다.

이번 시상은 삼성전자가 3월 27일 경기도 성남시 더블트리 바이 힐튼 서울 판교에서 개최한 DX(Device eXperience) 부문 ‘상생협력 DAY’에서 진행되었다. 해당 행사는 협력사와의 소통을 강화하고 동반성장을 도모하기 위해 2012년부터 이어져 온 프로그램이다.

RFHIC는 앞으로도 GaN RF 기술을 기반으로 고객 및 파트너와의 협력을 강화하고, 고성능 RF 솔루션 개발을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 지속적으로 확대해 나갈 계획이다

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[기사] RFHIC, KIMES 2026 참가 성료

GaN Solid-State Microwave 기술 기반 차세대 의료 응용 제시

RFHIC는 서울 코엑스(COEX)에서 개최된 아시아 대표 의료기기 전시회인 KIMES 2026 (Korea International Medical & Hospital Equipment Show)에 참가하여, GaN solid-state 기술을 기반으로 한 RF 및 마이크로웨이브 솔루션을 선보였습니다.

RFHIC는 GaN 소자부터 전력 증폭기, 시스템에 이르는 수직 통합 기술력을 바탕으로 고효율 RF 에너지 솔루션을 개발하고 있으며, 이번 전시를 통해 의료 및 에스테틱 분야로의 적용 가능성을 집중적으로 제시했습니다.

특히, GaN solid-state RF 및 마이크로웨이브 에너지 전달 기술은 피부 리프팅 및 타이트닝과 같이 정밀한 열 제어가 요구되는 시술 영역에서 활용이 기대되며, 차세대 미용 의료기기 설계를 위한 핵심 기술로 주목받고 있습니다.

RFHIC의 GaN 기술은 높은 출력 밀도와 에너지 효율, 그리고 뛰어난 신뢰성을 기반으로 보다 안정적이고 균일한 에너지 제어를 가능하게 하며, 의료 장비의 소형화 및 성능 향상 측면에서 경쟁력을 제공합니다.

또한, RFHIC는 SSPA(Solid-State Power Amplifier) 기반 RF 출력 구조를 적용하여 기존 진공관 대비 효율성과 안정성을 개선한 솔루션을 제시하며, 차세대 의료기기 개발을 위한 기술 방향을 제안했습니다.

전시 기간 동안 RFHIC는 글로벌 의료기기 제조사들과 활발한 기술 교류를 진행하며 다양한 협력 기회를 모색하였습니다.

RFHIC는 앞으로도 GaN solid-state 기술을 기반으로 의료, 반도체, 에너지 등 다양한 산업 분야에서 RF 및 마이크로웨이브 응용을 지속 확대하며, 고부가가치 RF 솔루션을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 강화해 나갈 계획입니다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

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[기사] RFHIC, 방사광가속기용 고출력 증폭기(SSPA) 공급계약 체결
포항공과대학교 가속기연구소와 다목적 방사광가속기용 고출력 증폭기 공급 계약 체결

RFHIC는 포항공과대학교 가속기연구소와 다목적 방사광가속기용 고출력 증폭기(SSPA, Solid-State Power Amplifier) 공급 계약을 체결했다고 밝혔다.

이번 계약은 약 186억5900만원 규모로, 계약 기간은 2026년 2월 11일부터 2029년 12월 31일까지다. 이번 수주는 RFHIC가 기존 통신 및 방산 중심의 RF 반도체 사업을 넘어 국가 전략 연구시설 및 산업 인프라에 적용되는 RF 에너지 시스템 분야로 사업 포트폴리오를 확장했다는 점에서 의미가 있다.

방사광가속기는 전자를 빛의 속도에 가깝게 가속해 매우 밝고 정밀한 X선(방사광)을 생성하는 대형 연구시설로, 물질의 미세 구조와 변화 과정을 정밀하게 분석할 수 있다. 이러한 특성으로 인해 반도체, 소재, 바이오, 에너지 등 다양한 첨단 연구 분야에서 핵심 연구 인프라로 활용되고 있다. 특히 이번 사업의 대상인 4세대 방사광가속기는 기존 대비 향상된 밝기와 정밀도를 기반으로 보다 정확한 분석과 실시간 관찰이 가능한 것이 특징이다.

RFHIC가 공급하게 될 RF 증폭 시스템에는 자사의 GaN(Gallium Nitride) 기반 반도체 기술이 적용된 고출력 SSPA가 탑재된다. 해당 시스템은 높은 에너지 효율과 디지털 제어 기능을 갖추고 있으며, 장시간 연속 운전이 요구되는 환경에서도 안정적인 성능과 우수한 유지보수 편의성을 제공하도록 설계됐다.

RFHIC 관계자는 “장기간 안정적인 운전이 필수적인 국가 대형 연구시설에 당사의 RF 증폭 시스템이 적용된 것은 기술 신뢰성과 공급 역량을 동시에 인정받았다는 의미”라며, “이번 프로젝트를 계기로 반도체 소재 및 장비, 이차전지 장비, 의료 장비 등 다양한 산업 분야로 RF 에너지 사업 확대를 지속적으로 추진할 계획”이라고 밝혔다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[전시회] RFHIC, WHE 2025에서 ‘GaN 마이크로웨이브 장비’ 소개

RFHIC는 12월 4일(목)부터 7일(일)까지 킨텍스에서 열린 ‘World Hydrogen Expo 2025(WHE 2025)’에 참가해, GaN 기반 솔리드스테이트 마이크로웨이브(MW) 장비를 선보였다고 밝혔다.

RFHIC는 GaN(Gallium Nitride) 반도체 기술을 기반으로 고출력 RF 및 마이크로웨이브 솔루션을 개발·제조하는 기업으로, 마이크로웨이브 에너지를 활용해 청정 수소 생산, 플라즈마 공정, 반도체 장비, 산업용 가열 시스템 등 다양한 분야에서 에너지 효율 혁신을 지원하고 있다.

이번 전시에서 RFHIC가 소개한 마이크로웨이브 장비는 수소 생산 공정에서 요구되는 전력 공급 효율을 높이기 위한 솔루션으로, 정밀한 출력 제어와 높은 안정성을 바탕으로 공정 운영의 신뢰성을 강화하는 데 초점을 맞췄다. RFHIC 측은 “해당 솔루션은 MW 에너지를 촉매에 직접 조사해 빠르게 가열하고, 세밀한 출력 제어를 통해 촉매 온도를 안정적으로 유지함으로써 안정적인 수소 생산을 가능하게 한다”고 설명했다.

기존 촉매 가열 방식이 주로 열전도 기반의 간접 가열인 반면, RFHIC의 MW 장비는 촉매 자체를 직접 가열하는 구조로 열손실을 줄이는 데 유리하다는 것이 회사 측 설명이다. 이를 통해 에너지 효율 향상과 탄소 배출 저감 측면에서도 기대 효과가 있다는 평가다.

RFHIC는 전시 기간 수소 생산 공정 효율화에 관심 있는 참관객들의 현장 상담과 기술 문의가 이어졌으며, MW 기반 촉매 직접 가열 솔루션의 적용 가능성을 중심으로 다양한 협력 방안을 논의했다고 밝혔다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[뉴스] RFHIC, ‘2025 국방반도체 발전포럼’ 발표 및 패널 토론 참여

RFHIC, 국방반도체 자립을 위한 협력 논의의 장 ‘2025 국방반도체 발전포럼’에서 발표

서울, 대한민국 – 2025년 11월 10일
RFHIC는 지난 11월 10일 서울 여의도 전경련회관(FKI 타워)에서 열린 ‘2025 국방반도체 발전포럼’에 참석하여 국방반도체 산업의 발전 방향과 과제에 대한 견해를 공유했습니다.
이번 포럼은 방위사업청이 주최하고, 국방기술진흥연구소와 한국방위산업진흥회가 공동으로 주관했으며, 정부 기관, 학계, 방산업체 및 반도체 전문기업 등 300여 명이 참석한 가운데 진행되었습니다.

■ 국방반도체 국산화의 과제와 발전 방향 제시

RFHIC의 방산사업본부장은 이번 포럼에서「국방프로젝트 진행현황 및 산업현장에서 본 국방반도체 국산화의 과제와 발전방향」이라는 주제로 발표를 진행했습니다.
발표에서는 RFHIC가 추진 중인 주요 국방 프로젝트 및 수출 사례를 바탕으로, 국방반도체의 자립적 공급망 확보, 핵심 부품의 기술 내재화, 민·군 협력 강화를 통한 산업 생태계 조성 방안을 제시했습니다. 또한 실제 산업 현장에서 마주하는 기술적·제도적 한계와 개선 과제를 짚으며, “국방반도체의 경쟁력 확보는 단순한 기술개발을 넘어 산·학·연·군이 유기적으로 협력하는 종합 생태계 구축이 필수적”이라고 강조했습니다.

RFHIC 국방반도체 발전포럼 발표

■ 국가 안보의 핵심, 국방반도체 생태계 강화에 기여

‘국방반도체 발전포럼’은 K-방산 육성과 안보환경 변화에 대응하기 위한 정책 공유 및 협력의 장으로 마련되었습니다.
 이날 행사에서는 이혁재 서울대 반도체공동연구소장의 기조연설을 비롯해, 도윤희 방위사업청 방위사업미래전략담당관, 전승수 한국과학기술기획평가원 본부장, 임성규 나노종합기술원 본부장 등 각계 전문가들이 국방반도체 기술 자립, 민·군 협력 거버넌스, 공공 인프라 활용 전략 등을 발표했습니다.

석종건 방위사업청장은 “이번 포럼이 국방반도체 자립을 위한 폭넓은 공감대를 형성하는 중요한 계기가 되었다”며 “국방반도체가 K-방산과 결합해 국가 핵심 성장동력으로 자리매김하도록 협력 체계를 강화하겠다”고 밝혔습니다. 

RFHIC 국방반도체 발전포럼 발표

■ RFHIC의 역할과 비전

RFHIC는 국내 대표적인 GaN 기반 반도체 및 전력증폭 솔루션 전문기업으로서, 국방 및 통신, 에너지 등 다양한 산업 영역에서 첨단 RF 기술 국산화를 선도하고 있습니다.
 이번 포럼 참여를 통해 국방반도체 산업 발전과 자립 생태계 구축에 기여하며, 국가 안보 강화와 K-방산의 글로벌 경쟁력 확보에 일조하고자 합니다.

“RFHIC는 앞으로도 정부, 연구기관, 그리고 방산업계와의 긴밀한 협력을 통해 국방반도체 기술의 자립과 혁신을 지속적으로 추진하겠습니다.” — RFHIC 방산사업본부장

알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[전시회] RFHIC, MTX 2025 참가 성료

[전시개요]

전시 : Meteorological Technology World Expo 2025
기간 :2025년 9월 24일 ~ 26일

장소 : Messe Wien Exhibition & Congress Center, 비엔나, 오스트리아

부스번호 : A640

 

RFHIC가 오스트리아 비엔나에서 열린 Meteorological Technology World Expo 2025에 참가했습니다.

이번 전시에서 RFHIC는 기상 레이더 송신기 및 증폭기 시스템을 위한 최신 GaN SSPA(Solid-State Power Amplifier) 기술을 선보이며, 차세대 기상 레이더 시스템의 성능과 신뢰성을 향상 시킬 수 있는 혁신적인 솔루션을 소개했습니다. 또한 전 세계 기상 기술 및 산업 전문가들과의 교류를 통해, 고효율·고출력 GaN 기술 분야에서의 RFHIC의 기술 리더십을 다시 한 번 입증하는 뜻깊은 시간이었습니다.

 GaN 전력증폭기 (기상 레이더용)

S-Band C-Band X-Band
15kW 2700-3100 MHz 8.5kW, 5600-5700 MHz 5kW, 9000-10 GHz
RRT273115K-690 RRK56578K5-790 RRT951005K0-570

rfhic-8500W-C-band-GaN-Solid-State-Transmitter-RRK56578K5-790

 

RFHIC는 앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 차세대 레이더 및 센싱 시스템을 위한 첨단 GaN 솔루션 개발을 선도해 나가겠습니다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[전시회] RFHIC, EuMW 2025 참가 성료

[전시개요]

유럽 RF 시장에서 기술 리더십 강화 및 글로벌 협력 기회 확대

RFHIC는 지난 9월 23일부터 25일까지 네덜란드 위트레흐트 Jaarbeurs Convention Centre에서 열린 ‘European Microwave Week (EuMW) 2025’에 참가해, 자사의 최신 GaN(질화갈륨) 기반 RF 및 마이크로파 제품 및 솔루션을 선보였습니다. 이번 전시를 통해 RFHIC는 고효율·고출력 GaN 기술을 중심으로 한 RF 혁신 비전을 제시하며, 유럽 시장 내 기술 협력과 글로벌 파트너십 기회를 한층 강화했습니다.

유럽 최대 RF·마이크로파 전시회, 산업의 경계를 넘어선 기술 교류의 장

EuMW는 전 세계 RF 및 마이크로파 전문가들이 모이는 유럽 최대 규모의 전문 전시회로, 레이더, 위성통신, 방산, 5G/6G 통신, RF 에너지 응용 등 다양한 분야의 최신 기술이 소개되는 행사입니다. RFHIC는 부스 B118에서 고주파 마이크로파 RF Generator를 비롯한 통신·방산·RF 에너지 분야 주요 제품을 전시해 관람객들의 높은 관심을 받았습니다. 특히 당사의 GaN 기반 솔루션은 기존 실리콘(Si) 기반 증폭기 대비 출력밀도와 효율이 크게 향상되어, 고성능·고신뢰 RF 시스템 구축에 최적화된 기술로 호평을 받았습니다.

글로벌 기술 협력 확대

전시 기간 동안 RFHIC는 글로벌 고객 및 여러 기관과의 미팅을 통해 GaN 기술의 응용 가능성과 미래 RF 시스템의 방향성을 논의했습니다. 또한 유럽 주요 기업 및 기관과의 협력 네트워크를 강화하며,

향후 공동 개발 및 지역 맞춤형 솔루션 제공을 위한 협력 방안도 논의했습니다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.

[전시회] RFHIC, IMS 2025 2025 참가 성료

행사명 : IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2025)

일정 : 2025년 6월 17일(화) – 19일(목)

장소 : 미국 샌프란시스코 Moscone Center

부스번호 : #730

RFHIC는 지난 6월 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 최대 RF 및 마이크로웨이브 기술 전시회 IMS 2025에 참가해, 산업 전반에 걸친 GaN 기반 RF 솔루션을 선보이며 전 세계 고객들의 주목을 받았습니다.

이번 전시에서는 RF Energy, 국방, 통신 분야를 중심으로 다양한 응용에 최적화된 제품들이 소개되었고, 현장을 찾은 글로벌 기업 및 기관 관계자들과의 적극적인 기술 상담과 네트워킹이 이루어졌습니다.

 

전시 제품 포트폴리오

IMS 2025에서 RFHIC는 고출력, 고효율, 광대역 특성을 갖춘 제품들을 중심으로 자사의 기술력을 소개했습니다. 다양한 시스템에 적용 가능한 당사의 제품군을 소개합니다.

전시 기간 동안 RFHIC 부스는 다양한 국가의 고객사, 업계 전문가, 파트너, 기관 관계자들로 붐볐으며, 전시된 전체 제품군에 대한 관심도가 고르게 높았습니다.

현장에서 진행된 다수의 기술 상담과 네트워킹은 향후 협력 가능성을 확인하는 계기가 되었으며, RFHIC의 GaN 기술에 대한 신뢰와 수요가 전 세계적으로 확대되고 있음을 다시 한 번 확인할 수 있는 자리였습니다.

앞으로도 RFHIC는 산업별 고객의 다양한 요구에 부합하는 고성능 RF 솔루션을 지속적으로 개발하고, RF 기술 기반의 글로벌 혁신을 주도하는 신뢰받는 파트너로서의 역할을 더욱 공고히 해 나가겠습니다.

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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:

알에프에이치아이씨(주) (코스닥: A218410)는 무선 통신, 방산 및 항공우주, RF 에너지(산업, 과학, 의료) 분야에서 GaN RF 및 마이크로웨이브 부품 및 시스템 설계와 제조 분야의 글로벌 기업입니다. 당사는 질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 고출력 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하여 업계 최고의 솔루션을 제공합니다. RF 및 마이크로웨이브 기술 혁신을 통해 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.